据日经新闻周二报道，日本政府5月23日正式宣布，把尖端半导体制造设备等23个品类列入出口管理限制对象名单。经过两个月的公示期之后，该限制措施预计于7月23日生效。

规定生效后，这23个品类除了向友好国等42个国家和地区出口外，均需要单独得到批准。

(资料图)

本次限制主要针对高端半导体制造设备，包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。按运算用逻辑半导体的性能来看，均属于制造电路线宽在10～14纳米以下的尖端产品所需设备。

据半导体风向标梳理，新增的清单包括曝光、刻蚀、成膜等六大类半导体设备：

热处理相关（1类）

在0.01Pa以下的真空状态下，对铜（Cu）、钴（Co）、钨（W）（任何一种元素）进行回流（Reflow）的“退火设备（Anneal）”。

检测设备（1类）

EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的检测设备、或者“带有线路的掩膜”的检测设备。

曝光相关（4类）

1.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产设备。

3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影设备（Coater Developer）。

4.用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下）。（按照笔者的计算，尼康的ArF液浸式曝光设备属于此次管控范围，干蚀ArF以前的曝光设备不在此范围。）

干法清洗设备、湿法清洗设备（3类）

1.在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的设备。

2.在除去晶圆表面氧化膜的前道处理工序中所使用的、用于干法蚀刻（Dry Etch）的多反应腔(Multi-chamber)设备。

3.单片式湿法清洗设备（在晶圆表面性质改变后，进行干燥）。

蚀刻（3类）

1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching)设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的设备；属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀设备，且含高频脉冲输出电源，以及含有切换时间不足300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的设备。

2.湿法蚀刻设备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上。

3.为异向性蚀刻设备，且蚀刻介电材料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、而且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间不足300m秒的高速切换阀的设备。

成膜设备（11类）

1.如下所示的各类成膜设备。*利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

利用电镀形成钴（Co）膜的设备。

利用自下而上（Bottom-up）成膜技术，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的空隙、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD设备。

在同一个腔体（Chamber）内进行多道工序，形成金属接触层（膜）的设备、氢（或者含氢、氮、氨混合物）等离子设备、在维持晶圆温度为100度一一500度的同时、利用有机化合物形成钨（W）膜的设备。

可保持气压为0.01Pa以下真空状态（或者惰性环境）的、含多个腔体的、可处理多个工序的成膜设备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜设备：（1）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用溅射工艺，形成钴（Co）层膜的工艺。（3）在维持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜的工艺。

利用以下所有工艺形成铜线路的设备。（1）在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，在压力为133.3Pa一一13.33kPa的范围内，利用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜、或者钌（Ru）层膜的工艺。（2）在保持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa一一13.33Pa的范围内，利用PVD技术，形成铜（Cu）层膜的工艺。

利用金属有机化合物，有选择性地形成阻障层（Barrier）或者Liner的ALD设备。

在保持晶圆温度低于500度的同时，为了使绝缘膜和绝缘膜之间不产生空隙（空隙的宽度和深度比超过五倍，且空隙宽度为40纳米以下），而填充钨（W）或者钴（Co）的ALD设备

2.在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性环境下)，不采用阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜设备。

3.在保持晶圆温度为20度一一500度的同时，利用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的设备。

4.“空间原子层沉积设备（仅限于支持与旋转轴晶圆的设备）”，以下皆属于限制范围。（1）利用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体封闭在等离子照射区域的“等离子屏蔽体（Plasma Shield）”或相关技术手法。

5.可在400度一一650度温度下成膜的设备，或者利用其他空间（与晶圆不在同一空间）内产生的自由基(Radical)产生化学反应，从而形成薄膜的设备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的设备属于限制出口范围：（1）相对介电常数（Relative Permittivity）低于5.3。（2）对水平方向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比超过五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下。

6.利用离子束（Ion Beam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造设备的掩膜)的设备。

7．用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生长的以下所有设备属于管控范围。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以保持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性环境）的设备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。（3）外延生长的工作温度在685度以下的设备。

8.可利用等离子技术，形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的设备。

9.可利用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数量低于10¹⁹个）的设备。

10.为了不在金属线路之间（仅限宽度不足25纳米、且深度大于50纳米）产生间隙，利用等离子形成相对介电常数（Relative Permittivity）低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜设备。

11.在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火设备，通过再回流（Reflow）铜（Cu）、钴（Co）、钨（W），使铜线路的空隙、接缝最小化，或者使其消失。