一、美股盘前：三大期指齐涨

12月16日美股盘前，三大期指集体纷纷上涨。截止目前，道指期货涨0.64%，标普500指数期货涨0.74%，纳指期货涨0.78%。

原油今日开盘继续上涨，截至目前，WTI原油上涨0.30%，至71.08美元/桶。

债券市场方面，10年期美债收益率从周三的1.460%降至1.457% 几乎没有因美联储收紧货币政策而发生变动。

二、美联储官宣加快Taper

美东时间12月15日周三，美联储会后宣布，联储货币政策委员会FOMC的委员一致决定，保持0到0.25%的政策利率联邦基金利率目标区间不变，符合市场预期。相比11月初的上次会议，本周会后决议声明的最大变动来自有关购债的前瞻指引，其表述为：

“鉴于通胀发展变化及劳动力市场进一步好转，（FOMC）委员会决定，每月减少购买200亿美元的美国国债和100亿美元的机构住房抵押贷款支持证券（MBS）。从（明年）1月起，委员会将每月至少增持400亿美元的美国国债和至少200亿美元的机构MBS。委员会判定，可能每月都适合这样减少净购买资产，但若经济前景的变化有保障，就准备调整购买速度。”

以上指引意味着，从明年起，美联储的月度减少购债规模就比今年末扩大了一倍，增至合计300亿美元。11月的美联储会后宣布，从当月起，新冠疫情爆发后加码QE以来首次减少一个月内购买美债的规模，认为可能适合每个月都少购债合计150亿美元，但也指出，若经济前景的变化有保障，就准备调整速度。

在评价经济时，本次会后声明和上次会议相比最大的变化在于，删掉了通胀目前高企主要是“暂时性（transitory）因素”的体现这句话，将上次决议声明中的“疫情相关的供需失衡和经济复工已经助长一些行业的价格大涨” 改称为：

“疫情相关的供需失衡和经济复工已经继续助长通胀处于高水平。”

面对市场关注的加息前景，鲍威尔在随后的新闻发布会上表示，在taper结束之前，美联储不会开启加息进程，同时其尚未针对完成Taper与开始加息的时间间隔做决定可能会在美国经济实现充分就业之前就加息。

是的，我们不会在完成Taper之前就开始加息。FOMC利率预期并不意味着美联储有一个加息计划。

三、SEC重拳监管！马斯克等减持被盯上

在马斯克等美国公司高管们大举抛售股票之际，美国证券交易委员会（SEC）正在考虑制定更严格的规则，限制他们的相关买卖交易。此外，SEC瞄准规模庞大的美国货币市场基金，寻求对其再定价，以限制资金在危机时期出逃、导致市场崩溃。

在现有的交易规则下，公司高管们和公司自身，通过提前宣布他们的交易计划（何时、怎么样交易），从而免受内幕交易的指控。不过SEC主席Gary Gensler周三表示，他认为这还远远不够。

Gensler希望SEC考虑设置120天的冷静期，适用于内部人士任何新的或变更的投资组合；设置30天的冷静期，适用于公司自身的相应交易。

此外，Gensler还计划禁止重叠计划，并将单一交易计划限制为每12个月一次。目前，由于能够同时宣布多个投资组合管理计划，高管们可以从中挑选自己认为最合适的计划（交易）。

同日，SEC寻求对部分货币市场共同基金提出新要求，以减少投资者在金融市场崩溃期逃离这些工具，给市场带来巨大动荡。

四、福特汽车CEO誓言先超通用再超特斯拉

美东时间周三，福特汽车公司首席执行官Jim Farley表示，他有雄心壮志最终在美国的电动汽车销量中超越特斯拉公司，但首先希望超越通用汽车公司。

Farley说：“在扩大生产规模方面，我们是一家非常潦倒的公司。我们正处于中间阶段，很难预估它的结果，但我们致力于在24个月内达到约60万辆的年生产量。”

从特斯拉手中夺取领先地位是一项艰巨的任务，因为特斯拉目前主导着美国的电动车市场，预计今年将控制三分之二的销量。今年，福特可能会排在第四位，落后于大众和通用公司。

要实现这一目标，福特公司计划将包括密歇根州迪尔伯恩工厂的产能再提高一倍，以建造16万辆电动福特F-150闪电皮卡，其预订总数已超过20万辆。还需提高其位于墨西哥的电动野马Mach-E工厂的产能，并推迟了其电池驱动的探险家SUV的推出，以专注于其热销车型的产量。

目前，福特在美国电动汽车市场的份额为10%，较去年的5.4%有了显著增长。今年11月份，该公司的电动汽车业务增长了153%。

美股开盘前，福特汽车股价小幅上涨。

五、IBM和三星发布芯片新架构：让手机待机一周、性能提升两倍

美东时间12月15日，在加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议（IEDM 2021）上，IBM 透露它和三星的合作在半导体设计上取得了“突破”，提出了一种全新芯片制造工艺 VTFET。

VTFET，即垂直传输场效应晶体管，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET （鳍式场效应晶体管）技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。这样的布局将让电流在晶体管堆叠中上下流动，而在目前大多数芯片上使用的设计中，电流是水平流动的。

相比 FinFET，VTFET能让晶体管使用更大的电流，同时减少了能源浪费，可以有两倍性能提升，或者减少85%能耗。

IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说道：“VTFET制造工艺是关于挑战传统，并重新思考我们如何继续推进社会，提供改善生活、商业和减少环境影响的新创新。”

虽然我们无从知晓 VTFET 设计工艺何时能够制成芯片为我们所用，但是IBM和三星已经提出了一些大胆的想法：

手机充一次电可以用一周；

数据加密等能源密集型流程需要的能源会大大减少，碳足迹也会更小；

用于更强大的物联网设备，使它们能够在更多样化的环境中运行，如海洋浮标、自动驾驶汽车和航天器。

美股开盘前，IBM股价小幅上涨。